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北方华创申请工艺腔室及半导体工艺设备专利, 能够解决晶背或晶圆正面边缘处薄膜厚度不一致等问题

金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“工艺腔室及半导体工艺设备”的专利,公开号CN119040818A,申请日期为2023年5月。

专利摘要显示,本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备,涉及半导体装备领域。一种工艺腔室,应用于半导体工艺设备,所述工艺腔室包括:腔体、基座、沉积环、遮挡环和第一升降装置;所述基座、所述沉积环和所述遮挡环均设于所述腔体内,所述沉积环环绕所述基座设置所述遮挡环可升降地设于所述腔体的内衬且所述遮挡环的至少部分延伸至所述基座的边缘区域;所述第一升降装置包括多个第一升降件,多个所述第一升降件分别与所述遮挡环连接,用于带动所述遮挡环靠近或远离所述基座用于承载晶圆的承载面。本申请能够解决晶背或晶圆正面边缘处薄膜厚度不一致等问题。

本文源自:金融界

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